锴威特：第二轮问询：MOSFET发明专利、技术秘密保护及核心人员技术来源

公开摘要

交易所进一步要求说明发行人MOSFET技术是否具有新颖性和创造性，相关专利申请及授权情况，是否存在长期未获授权或被驳回情形，是否为成熟通用技术及是否存在侵权风险；说明以技术秘密保护核心技术是否符合行业惯例；说明成立当年申请电源管理IC专利但相关业务收入较晚形成的原因及是否存在竞业限制或知识产权侵权；说明MOSFET为主要收入来源但专利和研发人员更偏向IC的原因；说明张海滨未认定为核心技术人员的原因，以及张盛等发明人是否使用前任职单位技术成果、是否涉及职务发明或技术来源纠纷。