法律问题
深科达:注册稿阶段新增披露排他性技术许可协议,需要关注被许可技术使用安排、合同效力及是否存在潜在纠纷。
上交所IPO · 科创板 · 业务资质、许可及行业监管 · 2021-02-08 · 注册生效
公开摘要
2020年6月20日,深圳市矽谷半导体设备有限公司与发行人签署排他性技术许可协议,被许可技术为8吋/12吋固晶设备设计生产技术,许可类型为排他性许可,许可期限三年,许可费270万元。
法律问题
上交所IPO · 科创板 · 业务资质、许可及行业监管 · 2021-02-08 · 注册生效
2020年6月20日,深圳市矽谷半导体设备有限公司与发行人签署排他性技术许可协议,被许可技术为8吋/12吋固晶设备设计生产技术,许可类型为排他性许可,许可期限三年,许可费270万元。